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1，读书而无创造思维的介入不可能把书读活是什么意思

人干什么都有创造性思维的介入。这是一个伪命题。

读书而无创造思维的介入不可能把书读活是什么意思

2，什么是虚拟化产品有什么用

虚拟化是一个广义的术语，在计算机方面通常是指计算元件在虚拟的基础上而不是真实的基础上运行。虚拟化技术可以扩大硬件的容量，简化软件的重新配置过程。CPU的虚拟化技术可以单CPU模拟多CPU并行，允许一个平台同时运行多个操作系统，并且应用程序都可以在相互独立的空间内运行而互不影响，从而显著提高计算机的工作效率。

什么是虚拟化产品有什么用

3，什么是低端产品和高端产品

这个只是相对而言了····高端高能 低端能力低点··你也可以这样理解····· 但是也有例外的
相对而言的而已，现在的低端产品10年前还不是高端产品，呵呵，硬要说的话，硬件性能好的产品就是高端产品，反之一般配置的就是相对而言的“低端产品”。
这些都是由大众的一般的消费能力所确定的... 价格比较低的性能，做工相对比较弱 定位就低端了... 价格比较高 性能比较好，做工比较硬的..定位就高端了....
需求低就选择性能不是很高的低端产品，需求高就选择性能相对好的高端品，好不好是就你本身的要求而言，需求低要高端的一个是没用费钱，还有就是没底端的简单实用，需求高选底端的无法达标，因此还是按照需求来说比较好

什么是低端产品和高端产品

4，摆地摊十大暴利产品是什么

摆地摊十大暴利产品是小吃、甜品、小饰品、衣服、手机贴膜、打印照片、水果、包包、玩具、家用品。1、小吃俗话说民以食为天，吃对每个人都是相当重要的，小吃算是街头一种特别的风采，想要街头摆地摊做小吃是不错的选择。可以先学习下，然后购买工具，差不多就可以上街摆起来了。2、甜品夏天来了各种冰淇淋雪糕奶茶等等都成为了热销产品，在街头贩卖也挺好的。只要购买一个冰柜，就可以开始做生意了，成本很小而且前景不错。3、小饰品不管是头绳还是钥匙链还是其他的小东西，都是可以拿到地摊贩卖的。这些东西成本很低，卖的也不错，说是十大摆地摊暴利产品也是可以理解的。4、衣服虽然说现在淘宝已经很流行了，但是地摊的衣服还是有市场的。毕竟一些年纪大的人可能不是很会操作淘宝，对他们来说地摊上物美价廉的衣服买买还是很实惠的。5、手机贴膜大家经常看到什么手机贴膜发家致富的事情，其实这也是有可能的。虽然说贴个膜十块钱看着不多，但是现在手机膜很便宜，一晚上人流量大，手快可以赚不少。6、打印照片现在很多人喜欢用手机拍照，一些拍的比较好的有纪念意义的又想弄成照片保存起来。如果想街头打印照片，可以购买专业的仪器，在人流量大的地方摆起来就行了。7、水果夏天有很多好吃的水果，比如桃子西瓜等等，这些水果吃着味道很好，而且还可以补充营养。可以去批发一些价格便宜点的，品质好的，只要品质有保障，还是能卖出去的。8、包包女孩子都是比较爱美的，可以进一些干净的款式比较好看的包包，价格也不能太贵，不过还是要看个人眼光了。9、玩具小孩子的玩具种类很多的，各种发光的唱歌的会动的都很吸引目光，小孩子看到了可能就走不动道了，要家里家长买。10、家用品酒精、洗洁精、除味剂等等，很多东西都是家庭需要用到的，晚上闲逛的时候看到了可能就会买点回去，而且这些东西成本比较低，说是十大摆地摊暴利产品之一也不为过。

5，什么是低k介质

材料技术--高K值材料与应变硅加速晶体管内电流速度相反，在不同晶体管之间需要更好的绝缘，以避免电流泄漏的问题。在90纳米工艺之前，这个问题并不严重，因为晶体 管之间有较长的距离。但转换到90纳米工艺之后，不同晶体管的间距变得非常之短，电流泄漏现象变得异常严重。而为了抵消泄漏的电流，芯片不得不要求更大的 供电量，造成的直接后果就是芯片功耗增加。我们可以看到，无论英特尔还是AMD，90纳米工艺制造的产品都没有在功耗方面表现出应有的优势，而按照惯例， 每次新工艺都会让同型芯片的功耗降低30%左右。　对于65纳米工艺来说，这个问题到了非解决不可的地步。IBM和AMD都采用SOI(绝缘层上覆硅，Silicon On Insulator)技术，SOI有效隔断了各电极向衬底流动的漏电流，使之只能够通过晶体管流动，但它对于同级晶体管之间的阻隔效果并不理想。英特尔早 先认为SOI技术难度太大，所以没在此花费功夫。　　当然，他们也认为无法继续用二氧化硅做为晶体管的门—通道之间的绝缘层。为此，英特尔决定采用高K值的氧化物材料来制造晶体管的栅极，英特尔称 之为“高K门电介质”(High K gate Dielectric)。这种材料对电子泄漏的阻隔效果可以达到二氧化硅的10000倍，电子泄漏基本被阻断，这样就可以在绝缘层厚度降低到0.1纳米时 还拥有良好的电子隔绝效果。; |.　　不过，使用高K电介质材料来替代二氧化硅要面对许多技术问题，例如高K介质器件的门限电压可能迅速窜升到500毫伏甚至更高，芯片在运行过程中 受热升温后，晶体管的门限电压也将以不可预测的幅度来回摆动，这些问题很可能影响芯片的稳定性。为此，找到具有高稳定性的高K值材料至关重要，英特尔没有 透露65纳米工艺将使用哪一种高K值材料，但他们声称这些问题都已经得到良好的解决。若高K材料得到成功应用，英特尔将在65纳米工艺上遥遥领先对手，该 工艺生产的CPU芯片将会具有相当出色的功耗表现，目前Prescott高功耗的麻烦将一去不复返　　材料技术--低K电介质材料　在90纳米工艺中，英特尔只能实现7层铜互联结构，而IBM大约在2000年时就成功研发出8层铜互联技术。进入到65纳米工艺之后，英特尔终 于实现了8层铜互联结构，每一个芯片可以容纳8个不同的逻辑电路层。层数越多，芯片占据的面积就越小，成本越低，但同时也要面对更多的技术问题。　　例如，不同的电路层需要用导线连接起来，为了降低导线的电阻(R值)，各半导体厂商都采用金属铜来代替以往的金属铝(这也是“铜互联”的得名由 来)。其次，两个电路层之间会产生一定的电容效应(C值)，由导线电阻R和层间寄生电容C共同产生的RC延迟决定着芯片的高速性能。电路层越多，RC延迟 就越高，芯片不仅难以实现高速度而且会增加能耗。使用电阻率更低的铜代替铝作为导线，可以一定程度降低RC延迟。但在此之后，电路层之间的寄生电容C对 RC延迟就起到主要的影响了。　解决这个问题并不难。由于寄生电容C正比于电路层隔绝介质的介电常数K，若使用低K值材料(K<3)作为不同电路层的隔绝介质，问题便迎 刃而解了。英特尔为65纳米工艺准备了一种K值很低的含碳氧化物(Carbon Doped Oxide，CDO)，但他们也未具体说明氧化物的类型，我们也就无法作进一步的介绍　　让晶体管“睡眠”　　虽然新工艺引入一定程度上降低了芯片的功耗，但为了尽可能获得高性能，芯片的规模一再扩大、频率飞速提升，它的功耗水平也一直在缓慢地向上提 升，到现在，主流处理器的功耗超过百瓦，而且还一直呈现向上提升态势。但是，对应的散热技术并没有任何革命性的进步，为功耗高达百瓦的CPU散热已经接近 极限—基于这个理由，英特尔不得不放弃NetBurst架构转入双核心体系，最近英特尔取消了4GHz的Prescott处理器也是因为同样的原因。　　转变处理器设计思路是解决问题的根本办法，但制造技术的改进同样可以起到良好的缓解作用。众所周知，CPU的缓存单元从来都是发热大户，尤其是 二级缓存占据晶体管总量的一半不止、对功耗的“贡献”也极为可观。为了降低大容量缓存带来的高热量，英特尔为其65纳米SRAM芯片中引入了全新的“睡眠 晶体管”功能，当SRAM内的某些区域处于闲置状态时，睡眠晶体管就会自动切断该区域的电流供应，从而令芯片的总功耗大大降低。此时，睡眠晶体管可以看作 是SRAM的小型控制器，虽然它们自己并不会进入睡眠状态，但却可以控制SRAM单元的晶体管进行“睡眠”。　　这项技术与Pentium M的低功耗缓存设计有异曲同工之妙，虽然这二者在原理上并不相同。“睡眠晶体管”是在半导体制造技术层级上实现，可用于任何架构的CPU芯片，而 Pentium M的低功耗缓存则是一项电路控制技术，它只对Pentium M架构的产品有效，其他处理器若要有类似的功能就必须改变逻辑设计。

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